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高勇

作者: 時間:2016-10-25 點擊數:

所屬學科專業:控制科學與工程、電力電子與電力傳動、電氣工程

導師簡介:

    高勇,1956年生,男,博導。全國電力電子學會理事、陜西省電子學會理事、國家集成電路設計西安產業化基地專家指導委員會委員、IEEE會員、西安理工大學微電子學與固體電子學博士點學科帶頭人。多年來一直從事微電子技術、電力電子領域的教學、科研工作,承擔多項國家自然科學基金、國家科技攻關項目以及省、部級項目的研究,1994年以來發表學術論文200余篇,其中被三大檢索收錄80余篇;獲科技進步成果獎10余項,其中省、部級7項;出版專著2部。曾被評為機械部跨世紀學科骨干、陜西省“三五”人才。培養研究生100余人,其中博士20余人。 

主要研究方向:電力電子與電力傳動、電力電子器件與功率集成 

近年來主要科研項目:

1. 大功率IGBT芯片及器件關鍵技術研究及產業化(省部級,2015.12-2017.12

2. 3MW風電變流器功率單元研發(省部級,2013.01-2014.12

3. 3300V/1200A IGBT驅動保護電路設計(省部級,2013.01-2014.12

4. 大功率風力發電變流器功率單元關鍵技術研發(省部級,2012.10-2014.09

5. 1700V/2400A大功率IGBT IPM關鍵技術研究(省部級,2013.01-2014.12 

近年來主要科研成果:

1. 高壓大功率IGBT模塊的研制及產業化  陜西省人民政府2014年度科學技術一等獎

2. 軌道交通中智能測試技術及應用  陜西省人民政府2013年度科學技術二等獎

3. 全數字SPWM三相信號發生專用芯片,西安市科技進步一等獎

4. SiGe半導體異質結理論與新器件結構的研究,2009年度陜西高等學??茖W技術一等獎

5.雙柵雙應變溝道全耗盡SOI MOSFETs,ZL200710019194.X

6.門極換流晶閘管GCT的門-陰極結構設計方法,ZL200510096016.8

7. Analysis and optimal Design of a Novel SiGe/Si power diode for Fast and Soft recovery,Chinese Physics Letter SCI774YC

8. Improvement of High Temperature Characteristics for SiGeC p-i-n Diodes with Carbon Incorporatio,Chinese Physics Letters,SCI收錄(ISI:000256252600099)

9. 國家自然科學基,陽極注入效率可控的(IECGCT新結構及其關鍵技術研究

10. 國家十一五攻關子題,新型電力電子器件及電力電子集成技術

11. 美國應用材料創新基金(西安),雙柵雙應變MOSFET的研究 

發表論文:

1. Effects of p and n pillar widths on electrical chara -cteristics of super junction SiGe power diodes 物理學報2011年,第60卷、第4期基于無源性的變速恒頻雙饋風力發電機控制系統電工技術學報2010年,第25卷、第7

2. Characteristics of vertical double -gate dual-strained- channel MOS FETs      Journal of Semiconductors2009,Vol.30,No.6

3. Improvement of High Tempe -rature Characteristics for SiGeC p-i-n Diodes with Carbon In–corporation Chinese Physics Letters 2008,Vol.25,No.6

4. Research on reverse recovery characteristics of SiGeC p-i-n diodes     Chinese Physics B2008,Vol.17,No.12

5. 雙柵雙應變溝道全耗盡SOI MOSFETs的特性分析,半導體學報2008,Vol.29,No.2

6. A Novel Fully Depleted Air AIN Silicon-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor Chinese Physics Letters 2008,Vol.25,No.8

7. A Novel Method for the Initial-condition Estimation of a Tent Map Chinese Physics Letters 2009,Vol.26,No.7

8. A Super Junction SiGe Low-Loss Fast Switching Power Diode       Chinese Physics B 2009 年,Vol.18, No.1

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